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氧化錫銻靶材：光電領域的隱形冠軍
在真空鍍膜領域，氧化錫銻靶材憑借其獨特的性能優勢，成為制備透明導電薄膜的核心材料。
這種陶瓷靶材由氧化錫和氧化銻按特定比例燒結而成，在可見光區透光率超過85%，電阻率可低至10^-4Ω·cm量級，完美平衡了透明性與導電性這對天然矛盾體。
氧化錫銻薄膜的制備主要采用磁控濺射工藝。
當高能粒子轟擊靶材表面時，錫、銻、氧原子以分子形式濺射到基板上，通過精確控制濺射功率、氣壓和基板溫度等參數，可制備出厚度僅100-500納米的均勻薄膜。
這種工藝的優勢在于膜層致密性好，與玻璃、PET等基材的附著力強，且可實現大面積連續生產。
在實際應用中，氧化錫銻薄膜展現出三大核心優勢：首先，其化學穩定性遠超ITO材料，在高溫高濕環境下仍能保持性能穩定；其次，原料儲量豐富，成本僅為ITO靶材的1/3；更重要的是，通過調節銻摻雜濃度（通常3-10%），可精確調控薄膜的載流子濃度，滿足不同場景的方阻要求。
目前該材料已廣泛應用于建筑節能玻璃、光伏電池前電極等領域，在柔性顯示領域更是展現出替代ITO的潛力。
值得注意的是，氧化錫銻靶材存在脆性大、熱導率低的物理局限，這要求濺射過程中必須采用水冷背板并控制升溫速率。
隨著射頻濺射技術的進步，新型旋轉靶材設計使利用率提升至80%以上，有效降低了生產成本。
未來，通過納米摻雜和微結構調控，這一材料的遷移率還有望突破50cm2/V·s，為下一代柔性電子器件提供更優解決方案。
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