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三碲化二銻靶材：半導體制造的關鍵材料
三碲化二銻（Sb?Te?）靶材是一種重要的半導體材料，廣泛應用于熱電轉換、相變存儲和紅外探測等領域。
它的晶體結構屬于六方晶系，具有優異的電學和熱學性能，使其成為現代電子工業不可或缺的功能材料。
在熱電材料領域，三碲化二銻因其較高的熱電優值（ZT）備受關注。
它能有效將廢熱轉化為電能，在能源回收和微型制冷系統中發揮重要作用。
材料的載流子遷移率和塞貝克系數直接影響其熱電轉換效率，而Sb?Te?在這兩方面表現突出。
相變存儲技術是Sb?Te?靶材的另一重要應用方向。
其獨特的非晶態-晶態快速轉變特性，使存儲器件具備高速讀寫和低功耗優勢。
相變過程中，材料的電阻率會發生顯著變化，這一特性被用于數據存儲。
相比傳統閃存，基于Sb?Te?的相變存儲器具有更長的使用壽命和更高的穩定性。
在靶材制備工藝上，通常采用真空熱壓或磁控濺射法。
制備過程中需嚴格控制碲銻比例，任何成分偏差都會影響材料的電學性能。
高純度原料和精確的燒結溫度是保證靶材質量的關鍵因素。
隨著半導體行業對高性能材料需求的增長，三碲化二銻靶材的研發持續深入。
未來，通過納米結構調控和元素摻雜等手段，有望進一步提升其熱電性能和存儲特性，為新一代電子器件提供更優質的解決方案。
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