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碲化鍺靶材：半導體產業的新星材料
碲化鍺（GeTe）作為一種半導體材料，近年來在電子器件、相變存儲器和紅外光學領域嶄露頭角。
其獨特的性能使其成為靶材應用中的熱門選擇，尤其是在薄膜沉積技術中表現突出。
碲化鍺靶材的核心優勢在于其優異的電學和光學特性。
它具有較高的載流子遷移率，能夠滿足高速電子器件的需求。
同時，GeTe在相變過程中表現出顯著的非晶態與晶態電阻差異，這一特性使其成為相變存儲器（PCM）的理想材料。
此外，它在紅外波段的光學透過率較高，適用于紅外探測器和光學鍍膜。
在制備工藝上，碲化鍺靶材通常采用真空熱壓或熱等靜壓技術，以確保材料的高純度和致密性。
高密度靶材能夠減少薄膜沉積過程中的顆粒飛濺，提高鍍膜質量。
然而，碲化鍺的化學穩定性較差，容易氧化，因此在存儲和使用過程中需要嚴格控制環境條件。
未來，隨著半導體技術的進步，碲化鍺靶材在柔性電子、神經形態計算等新興領域可能發揮更大作用。
研究人員正在探索通過摻雜和界面工程優化其性能，以進一步提升器件的可靠性和效率。
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